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MMBT7002KV3MP

更新时间： 2024-09-30 14:55:59

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002KV3MP 数据手册

MMBT7002KV3MP

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

Drain1

Drain2

Drain3

• 3 channels

• Low on resistance R_DS(ON)

• ESD Protected

Gate1

Gate2

Gate3

Source1

Source2

Source3

1.Gate1 2.Sourse1 3. Gate2

4.Sourse2 5.Gate3 6. Sourse3

7.Drain3 8. Drain2 9.Drain1

DFN2010-9 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

V_GS

Drain Current(Steady State 1sq in pad) ¹⁾

T_a= 25℃

T_a= 85℃

380

270

I_D

Drain Current(Steady State Minimum pad) ²⁾

T_a= 25℃

T_a= 85℃

320

230

Drain Current (t_p= 10 µs)

1.5

℃

I_DM

P_tot

Power Dissipation

(Steady State 1sq in pad)

(Steady State Minimum pad)

320

200

Operating and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

Juntion to Ambient

(Steady State) ¹⁾

(Steady State) ²

390

625

℃/W

¹⁾Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size with 1 oz Cu.

²⁾Surface mounted on FR4 board using 0.08 sq in pad size with 1 oz Cu.

Dated: 24/05/2019 Rev: 03

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