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MMBT7002-HAF

更新时间： 2024-11-25 14:53:27

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002-HAF 数据手册

MMBT7002-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High density cell design for low R_DS(ON)

• Voltage controlled small signal switching

• High saturation current capability

• High speed switching

Drain

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

℃

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

V_DSS

V_DGR

Drain Gate Voltage (R_GS≤ 1 MΩ)

Continuous

Pulsed

± 20

± 40

300

190

Gate Source Voltage

V_GSS

I_D

T_a= 25℃

Drain Current - Continuous

T_a=100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Total Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_tot

1.5

350

℃

Operating and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

357

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

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Dated: 28/09/2021 Rev: 03

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