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MMBT7002BK

更新时间： 2024-11-21 14:53:47

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002BK 数据手册

MMBT7002BK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Very fast switching

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

350

I_DM

370

Power Dissipation ²⁾

P_D

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

340

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 16/05/2023 Rev:05

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