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MMBT7002DW

更新时间： 2024-11-25 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002DW 数据手册

MMBT7002DW

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High density cell design for low R_DS(ON)

• Voltage controlled small signal switching

• High saturation current capability

• High speed switching

Q1: 1.Source 2. Gate 6. Drain

Q2: 3. Drain 4. Source 5. Gate

SOT-363 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

V_DSS

V_DGR

Drain Gate Voltage (R_GS 1 MΩ)

Continuous

Pulsed

± 20

± 40

Gate Source Voltage

V_GSS

Drain Current - Continuous

I_D

I_DM

115

800

200

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Total Power Dissipation

P_tot

Operating and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 15/10/2020 Rev: 02

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