Datasheet > MMBT7002BKBP

MMBT7002BKBP

更新时间： 2024-11-21 14:55:39

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	536K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT7002BKBP 数据手册

MMBT7002BKBP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Max

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

450

1.8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

360 ²⁾

Power Dissipation

P_tot

715 ³⁾

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

- 65 to + 150

℃

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

347 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

175 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

1 / 6

Dated: 15/06/2023 Rev:03

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MMBT7002BKBP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT7002BKD	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKDW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKDW-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKE	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKHP	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002BKW-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002CK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002CK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMBT7002CKD	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體