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MMBT7002BKE

更新时间： 2024-11-21 14:55:47

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002BKE 数据手册

MMBT7002BKE

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Very fast switching

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

300

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

200

P_D

Max Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 10/08/2023 Rev:02

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