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MMBT7002CK-AH

更新时间: 2024-11-25 14:54:31
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先科 - SWST /
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6页 480K
描述
小信号金氧半電晶體

MMBT7002CK-AH 数据手册

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MMBT7002CK-AH  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• AEC-Q101 Qualified  
Very fast switching  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Gate  
Classification Voltage Range(V)  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
Source  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
3A  
3B  
Application  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
± 20  
V
Continuous Drain Current  
300  
mA  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
IDM  
2
PD  
350  
mW  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Tstg  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
357  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C.  
/W  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 6  
Dated02/05/2023 Rev:02  

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