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MMBT7002DE

更新时间： 2024-09-30 14:53:59

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002DE 数据手册

MMBT7002DE

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

• High density cell design for low R_DS(ON)

• Voltage controlled small signal switching

• High saturation current capability

• High speed switching

TR2

TR1

1.Source 2. Gate 3. Drain

4. Source 5. Gate 6. Drain

SOT-563 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage (R_GS 1MΩ)

V_DGR

Gate-Source Voltage

-Continuous

V_GSS

I_D

± 20

280

1.5

Maximum Drain Current -Continuous

-Pulsed

Total Power Dissipation

P_tot

R_θJA

250

500

Maximum Thermal Resistance from Juntion to Ambient ¹⁾

℃/W

Operating and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimun land pad size.

Dated: 23/10/2018 Rev:01

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