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MMBT7002BKW

更新时间： 2024-11-25 14:55:15

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002BKW 数据手册

MMBT7002BKW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Very fast switching

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

310

Peak Drain Current, Pulsed

Power Dissipation ¹⁾

tp ≤ 10 µs

I_DM

1.2

P_D

275

Max Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

455

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

℃/W

1 / 6

Dated: 01/08/2023 Rev:04

12 3 4 5 6

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