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MMBT7002BKD

更新时间： 2024-11-25 14:55:39

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002BKD 数据手册

MMBT7002BKD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Very fast switching

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Q1: 1. Source 2. Gate 6. Drain

Q2: 4. Source 5. Gate 3. Drain

SOT-26 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

500

1.2

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

295 ²⁾

694 ³⁾

Power Dissipation

P_D

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Resistance Ratings (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

425 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

180 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 19/07/2023 Rev:03

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