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MMBT7002AD

更新时间： 2024-09-28 14:55:55

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002AD 数据手册

MMBT7002AD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

Q1: 1.Gate 5.Source 6.Drain

Q2: 3.Gate 2.Source 4.Drain

SOT-26 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Drain Current

± 20

510

1.5

I_D

Peak Drain Current

tp ≤ 10 µs

I_DM

0.96 ¹⁾

P_tot

Total Power Dissipation

0.7 ²⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

130 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

179 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 20/04/2022 Rev:02

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