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MMBT7002ADW

更新时间： 2023-12-06 20:09:07

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小信号金氧半電晶體

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MMBT7002ADW 数据手册

MMBT7002ADW

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

TR2

TR1

1.Source 2. Gate 3. Drain

4. Source 5. Gate 6. Drain

SOT-363 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

V_DSS

V_DGR

Drain Gate Voltage (R_GS 1 MΩ)

Continuous

Pulsed

Continuous

Pulsed

± 20

± 40

115

800

Gate Source Voltage

V_GSS

I_D

Drain Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

T_j

200

150

℃

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

BV_DSS

I_DSS

Min.

Max.

Unit

Drain Source Breakdown Voltage

at I_D= 10 µA

Zero Gate Voltage Drain Current

at V_DS= 60 V

Gate Source Leakage Current

at ± V_GS= ± 20 V

Gate Source Threshold Voltage

at V_DS= V_GS= 10 V , I_D= 250 µA

Static Drain Source On Resistance

at V_GS= 5 V, I_D= 50 mA

at V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

Drain Source On Voltage

at V_GS= 5 V, I_D= 50 mA

at V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

Forward Transconductance

at V_DS= 10 V, I_D= 200 mA

Input Capacitance

µA

I_GSS

±100

2.5

V_GS(th)

R_DS(ON)

7.5

Ω

V_DS(ON)

1.5

3.75

g_FS

C_iss

C_oss

C_rss

t_on

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

Output Capacitance

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

Reverse Transfer Capacitance

at V_DS= 25 V, f = 1 MHz

Turn On Time

at V_DD= 30V, R_L= 150Ω, I_D= 0.2A, V_GS= 10V, R_GEN= 25Ω

Turn Off Time

t_off

at V_DD= 30V, R_L= 150Ω, I_D= 0.2A, V_GS= 10V, R_GEN= 25Ω

Dated: 04/10/2018 Rev: 01

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