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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT6520LT3
MMBT6520LT3 PDF预览

MMBT6520LT3

更新时间： 2024-11-26 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 高压小信号双极晶体管
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5页 113K
描述
高压 PNP 双极晶体管

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MMBT6520LT1G  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
−350  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Base Current  
−350  
−5.0  
Vdc  
Vdc  
2
EMITTER  
I
B
C
−250  
−500  
mA  
Collector Current − Continuous  
I
mAdc  
3
SOT−23 (TO−236)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
CASE 318  
STYLE 6  
1
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina  
R
556  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
q
JA  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
2Z M G  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
417  
°C/W  
°C  
JA  
1
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2Z = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT6520LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
MMBT6520LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 5  
MMBT6520LT1/D  
 
12345

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MMBT6520LT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT6520LT1 ONSEMI

完全替代

 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT6520LT1G ONSEMI

类似代替

 High Voltage Transistor
MMBT6520LT3G ONSEMI

类似代替

 High Voltage Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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