是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 5 weeks |
风险等级: | 0.51 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 413183 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Transistor BJT NPN |
Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name: | SOT?23 (TO?236)(Height=1.11mm) |
Samacsys Released Date: | 2020-05-22 01:31:59 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSVMMBTA28LT1G | ONSEMI |
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NPN 达林顿晶体管 | |
NSVMMBTH10L | ONSEMI |
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VHF/UHF Transistor | |
NSVMMBTH10LT1G | ONSEMI |
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VHF/UHF Transistor | |
NSVMMBTH81LT1G | ONSEMI |
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50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor | |
NSVMMBTH81LT3G | ONSEMI |
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50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor | |
NSVMMUN2112LT1G | ONSEMI |
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PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | |
NSVMMUN2113LT3G | ONSEMI |
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PNP 双极数字晶体管 (BRT) | |
NSVMMUN2114LT3G | ONSEMI |
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PNP 双极数字晶体管 (BRT) | |
NSVMMUN2130LT1G | ONSEMI |
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PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | |
NSVMMUN2131LT1G | ONSEMI |
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PNP 双极数字晶体管 (BRT) |