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MRF181SR1

更新时间： 2024-01-02 11:41:36

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	121K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 2 PIN

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MRF181SR1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF181SR1 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-

cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices

make them ideal for large–signal, common source amplifier applications in 12.5

and 28 volt mobile, portable and base station equipment.

1.0 GHz, 7.5 W, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

•

Guaranteed Performance @ 945 MHz, 28 Volts

Output Power = 7.5 Watts

Power Gain = 15.5 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency = 30%

•

Capable of Handling 5:1 VSWR @ 28 Vdc,

945 MHz, 7.5 Watts CW Output Power

•

Excellent Thermal Stability

Characterized with Series Equivalent Large–Signal

Impedance Parameters

CASE 458B–02, STYLE 1

(MRF181SR1)

•

S–Parameter Characterization at High Bias Levels

Suitable for 12.5 Volt Application

Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per

12 mm, 7 inch Reel.

CASE 458C–02, STYLE 1

(MRF181ZR1)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

±20

2.0

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 70°C

Derate above 70°C

0.278

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

5.42

°C/W

θJC

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 1

MRF181SR1 MRF181ZR1

5.2–152

MOTOROLA WIRELESS RF, IF AND TRANSMITTER DEVICE DATA

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF182S	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF182SR1	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
MRF183	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183LSR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF183LSR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN

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