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MRF182

更新时间： 2024-09-27 12:20:03

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1页	271K
描述
RF POWER FET TRANSISTOR

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MRF182 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-MDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF182 数据手册

MRF182

RF POWER FET TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .350 2L FLG

The ASI MRF182 is an RF power field

effect transistor, N-Channel

Enhancement-Mode lateral MOSFET.

FEATURES INCLUDE:

• Bradband performance from HF to 1

GHz

• Omnigold™ Metalization System

• High Gain, Rugged device.

MAXIMUM RATINGS

V_DSS

V_GS

P_D

65 V

±20 V

74 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.75 °C/W

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_DSS

I_DSS

TEST CONDITIONS

I_D= 1.0 µA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

µA

V_GS= 0 V

V_GS= 20 V

I_D= 100 µA

I_D= 50 mA

I_D= 3.0 A

1.0

4.0

5.0

1.2

I_GSS

V_GS(th)

V_GS(Q)

V_DS(on)

g_fs

V_DS= 10 V

V_DS= 28 V

V_GS= 10 V

V_DS= 10 V

2.0

3.0

4.0

0.9

1.8

1.6

C_iss

C_oss

C_rss

2.5

_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

f = 945 MHz

G_PS

V_DD= 28 V

I_DQ= 50 mA

P_{OUT =}30 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF182R1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360B-05, 3 PIN
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MRF182SR1	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
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