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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 0.78 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2484 | ONSEMI |
类似代替  |
NPN 通用放大器 |
|
| MMBT2484LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
NPN Bipolar Transistor |
|
| MMBT2484LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2484LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
50mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| MMBT2484LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor |
|
| MMBT2484S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| MMBT28S | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
|
| MMBT28S | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| MMBT2906 | TI |
获取价格 |
MMBT2906 |
|
| MMBT2907 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
|
| MMBT2907 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| MMBT2907 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBT2907 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
|
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