是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 0.78 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 250 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBT2484 | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
NPN 通用放大器 |
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MMBT2484LT3G | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
NPN Bipolar Transistor |
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MMBT2484LT1 | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT2484LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
50mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
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MMBT2484LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor |
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MMBT2484S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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MMBT28S | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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MMBT28S | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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MMBT2906 | TI |
获取价格 |
MMBT2906 |
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MMBT2907 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
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MMBT2907 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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MMBT2907 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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MMBT2907 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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