MMBT2907

更新时间： 2024-09-13 04:39:27

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WEITRON		晶体晶体管开关光电二极管 PC
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6页	155K
描述
PNP General Purpose Transistors

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MMBT2907 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT2907 数据手册

MMBT2907

MMBT2907A

COLLECTOR

PNP General Purpose Transistors

BASE

SOT-23

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

2907

-40

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

2907A

-60

Unit

Vdc

CEO

-60

CBO

Emitter-Base VOltage

-5.0

Vdc

EBO

Collector Current-Continuous

mAdc

-600

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Characteristics

Unit

Max

Total Device Dissipation FR-5 Board (1)

TA=25 C

Derate above 25 C

225

1.8

mW/ C

556

Thermal Resistance, Junction to Ambient

C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (2) TA=25 C

Derate above 25 C

300

2.4

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

417

C/W

Junction and Storage,Temperature

-55 to +150

J,Tstg

DEVICE MARKING

MMBT2907=M2B; MMBT2907A=2F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

-40

-60

MMBT2907

MMBT2907A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -10 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage (I = -10 µAdc, I =0)

-60

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -10 µAdc, I =0)

Vdc

-5.0

Collector Cutoff Current (V = -30 Vdc,V

= -0.5Vdc)

-50

EB (0ff)

CEX

nAdc

-0.020

-0.010

-20

Collector Cutoff Current (V = -50 Vdc, I =0)

MMBT2907

MMBT22907A

MMBT2907

MMBT2907A

CBO

nAdc

(V = -50Vdc, I =0,T =125 C)

-10

MMBT2907A

Base Cutoff Current (V = -30Vdc,V

= -0.5Vdc)

-50

EB(off)

1.FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in

2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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