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MMBT2907A

更新时间： 2024-09-13 10:52:39
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 271K
描述
General Purpose Transistor

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MMBT2907A 数据手册

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MMBT2907A  
PNP Silicon  
Elektronische Bauelemente  
General Purpose Transistor  
RoHS Compliant Product  
FEATURES  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary NPN Type Available  
(MMBT2222A)  
A
COLLECTOR  
3
L
·
Ideal for Medium Power Amplification and  
Switching  
3
3
S
C
Top View  
B
1
1
1
2
BASE  
2
V
G
2
EMITTER  
H
J
D
K
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
2907  
2907A  
Unit  
Vdc  
SOT-23  
Min  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
CEO  
–40  
–60  
Dim  
Max  
A
B
C
D
G
H
J
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
V
–60  
–5.0  
–600  
Vdc  
CBO  
EBO  
V
Vdc  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T
= 25°C  
A
K
L
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
S
V
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
All Dimension in mm  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT2907 = M2B; MMBT2907A = 2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
–40  
–60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –10 Adc, I = 0)  
V
–60  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
E
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –10 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
= –30 Vdc, V  
= –0.5 Vdc)  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CE  
BE(off)  
CEX  
CBO  
Collector Cutoff Current  
I
(V  
(V  
= –50 Vdc, I = 0)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
—
—
–0.020  
–0.010  
CB  
E
= –50 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
—
—
–20  
–10  
CB  
E
A
Base Current (V  
CE  
= –30 Vdc, V  
= –0.5 Vdc)  
I
B
—
–50  
nAdc  
EB(off)  
3. Pulse Test: Pulse Width  
REM : Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT2907A/D87Z TI

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 		800mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2907A/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor
MMBT2907A/L99Z TI

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 		800mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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 		PNP General Purpose Amplifier
MMBT2907A_16 DIODES

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 		60V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A_D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP General Purpose Transistor

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