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MMBT2907A-GS18

更新时间： 2024-09-25 19:45:07

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Transistor

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MMBT2907A-GS18 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT2907A-GS18 数据手册

MMBT2907A

Vishay Semiconductors

Small Signal Transistor (PNP)

Features

• PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switch-

ing and amplifier applications.

Mechanical Data

Case: SOT-23 Plastic case

Weight: approx. 8.8 mg

18978

Packaging Codes/Options:

GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box

Parts Table

Part

Ordering code

Marking

Remarks

MMBT2907A

MMBT2907A-GS18 or MMBT2907A-GS08

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

- V_CBO

Value

Unit

Collector - base voltage

Collector - emitter voltage

Emitter - base voltage

Collector current

- V_CEO

- V_EBO

- I_C

5.0

600

225

1.8

300

2.4

Power dissipation¹⁾

T_A= 25 °C

P_tot

mW/°C

Derate above 25 °C

T_A= 25 °C

P_tot

Power dissipation²⁾

P_tot

Derate above 25 °C

P_tot

¹⁾FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

²⁾Alumina Substrate = 0.4 x 0.3 x 0.024 x in. 99.5 % alumina.

Maximum Thermal Resistance

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

556

Unit

Thermal resistance junction to

ambient air FR-5 board

°C/W

Thermal resistance junction to

ambient air alumina substrate

R_thJA

417

°C/W

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature range

T_S

- 55 to + 150

Document Number 85143

Rev. 1.2, 27-Oct-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBT2907AL	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
MMBT2907AL	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
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