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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMMBT2907ALT1G | ONSEMI |
类似代替  |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
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| MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2907ALT3 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2907ALT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A |
|
| MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2907AM | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,0.6A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
|
| MMBT2907AM3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
| MMBT2907AQ | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 0.6A, SOT23 |
|
| MMBT2907AQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBT2907AQ-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, |
|
| MMBT2907ARF | TSC |
获取价格 |
350mW, PNP Small Signal Transistor |
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