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MMBT2907AT PDF预览

MMBT2907AT

更新时间： 2024-11-19 14:54:23
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 632K
描述
SOT-523

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MMBT2907AT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：50最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

MMBT2907AT 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors  
MMBT2907AT TRANSISTOR (PNP)  
FEATURES  
SOT–523  
z Complementary to NPN Type (MMBT2222AT)  
z Small Package  
MARKING:2F  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Unit  
V
1. BASE  
Collector-Base Voltage  
-60  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Collector-Emitter Voltage  
-60  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Collector Current  
-600  
150  
833  
mA  
mW  
℃/W  
PC  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
RΘJA  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ,Tstg  
℃
-55～+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
Min  
-60  
-60  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=-10µA, IE=0  
V(BR)CEO IC=-10mA, IB=0  
V(BR)EBO IE=-10µA, IC=0  
V
V
ICBO  
IEBO  
VCB=-50V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
-10  
-10  
nA  
nA  
Emitter cut-off current  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=-10V, IC=-0.1mA  
VCE=-10V, IC=-1mA  
75  
100  
100  
100  
50  
DC current gain  
VCE=-10V, IC=-10mA  
VCE=-10V, IC=-150mA  
VCE=-10V, IC=-500mA  
IC=-150mA, IB=-15mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
IC=-150mA, IB=-15mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-20V,IC=-50mA, f=100MHz  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
VEB=-2V, IC=0, f=1MHz  
300  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
V
VBE(sat)  
V
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Delay time  
fT  
Cob  
Cib  
td  
200  
MHz  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
30  
10  
40  
225  
30  
VCC=-30V, IC=-150mA, IB1=-15mA  
Rise time  
tr  
Storage time  
ts  
VCC=-6V, IC=-150mA, IB1=IB2=-15mA  
Fall time  
tf  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

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