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MMBT2907AT

更新时间： 2024-02-08 09:30:25

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描述
TRANSISTOR (PNP)

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MMBT2907AT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT2907AT 数据手册

RoHS

MMBT2907AT

MMBT2907AT TRANSISTOR (PNP)

SOT-523

FEATURES

1. BASE

Power dissipation

2. EMITTER

3. COLLECTOR

P_CM:

0.15

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-0.6

-60

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-10µA, I_E=0

Ic=-10mA, I_B=0

I_E=-10µA, I_C=0

MIN

-60

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB=-50V, I_E=0

-10

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-4V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

h_FE(4)

h_FE(5)

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE(sat)(1)

V_BE(sat)(2)

f_T

_CE=-10V, I_C=-100µA

_CE=-10V, I_C=-1mA

100

DC current gain

_CE=-10V, I_C=-10mA

_CE=-10V, I_C=-150mA

_CE=-10V, I_C=-500mA

300

I_C=-150mA, I_B=-15mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

I_C=-150mA, I_B=-15mA

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CE=-12V, I_C=-2mA, f=30MHz

MHz

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on Time

140

C_ob

V_CB=-12V, I_E=0, f=1MHz

ton

Vcc=-30V, Ic=-150mA, I_B1=-15mA

100

Delay Time

Rise Time

toff

Turn-off Time

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Storage Time

Fall Time

Vcc=-6V,Ic=-150mA,I_B1= I_B2=-15mA

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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