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MMBT2907AW

更新时间： 2024-02-23 03:10:42

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TYSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
General purpose transistor

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MMBT2907AW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT2907AW 数据手册

Product specification

MMBT2907AW

Features

General purpose transistor.

Pb?Free package is available.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Symbol

V^CEO

V^CBO

V^EBO

I^C

Rating

-60

Unit

-60

Emitter-base voltage

-5

Collector current

-600

Total Device Dissipation FR-5 Board

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Junction temperature

P^D

150

833

R^èJA

T^j

150

Storage temperature

T^stg

-55 to +150

* FR-5 = 1.0X 0.75 X0.062 in.

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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