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MMBT2907AW

更新时间: 2024-11-19 14:49:23
品牌 Logo 应用领域
先科 - SWST 晶体管
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5页 865K
描述
小信号晶体管

MMBT2907AW 数据手册

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MMBT2907W / MMBT2907AW  
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors  
Applications  
For switching and amplifier  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
Value  
60  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
MMBT2907W  
MMBT2907AW  
40  
60  
Collector Emitter Voltage  
-VCEO  
V
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
-VEBO  
-IC  
5
600  
V
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
Tj  
200  
O
150  
C
O
Tstg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
Symbol  
RθJA  
Value  
625  
Unit  
/W  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 5  
Dated06/09/2023 Rev: 04  

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