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MMBT2907Q PDF预览

MMBT2907Q

更新时间： 2024-02-29 00:34:32
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 337K
描述
General Purpose Transistor

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MMBT2907Q 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

MMBT2907Q 数据手册

 浏览型号MMBT2907Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2907Q的Datasheet PDF文件第3页 
MMBT2907Q  
PNP Silicon  
Elektronische Bauelemente  
General Purpose Transistor  
RoHS Compliant Product  
D
D1  
A
* Features  
SOT-89  
b1  
1
2
3
Power dissipation  
PCM : 1.25 W (Temp.= 25 C)  
Collector current  
b
C
e
O
e1  
1.BAS E  
Dimensions In Millimeters  
Dimensions In Inches  
2.COLLE CTOR  
3.E MITTE R  
Symbol  
ICM : -0.6 A  
Min  
Max  
Min  
Max  
3
1.400  
0.320  
0.360  
0.350  
4.400  
1.400  
2.300  
3.940  
1.600  
0.520  
0.560  
0.440  
4.600  
1.800  
2.600  
4.250  
0.055  
0.013  
0.014  
0.014  
0.173  
0.055  
0.091  
0.155  
0.063  
0.020  
0.022  
0.017  
0.181  
0.071  
0.102  
0.167  
A
Collector-base voltage  
b
b1  
c
V(BR)CBO : -60 V  
D
Operating & Storage junction Temperature  
D1  
E
O
O
Tj, Tstg : -55 C~ +150 C  
E1  
e
1.500TYP  
0.060TYP  
2.900  
0.900  
3.100  
1.100  
0.114  
0.035  
0.122  
0.043  
e1  
L
Electrical Characteristics( Tamb=25OC unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
Ic= -10μA， IE=0  
Ic= -10mA， IB=0  
IE=-10μA， IC=0  
VCB=-50 V , IE=0  
MIN  
-60  
-60  
-5  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
-0. 01  
-0. 01  
μA  
μA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB= -3V ,  
IC=0  
hFE(1)  
VCE=-1V, IC= -0.1mA  
VCE=-1V, IC= -1mA  
VCE=-1V, IC=-10mA  
VCE=-2V, IC= -150mA  
VCE=-2V, IC=-500mA  
IC=-150 mA, IB=-15mA  
IC=-500 mA, IB=- 50mA  
IC=-150 mA, IB=-15mA  
IC=-500 mA, IB= -50mA  
VCE=-20V, IC= -50mA  
f=100MHz  
75  
100  
100  
100  
50  
hFE(2)  
DC current gain  
hFE(3)  
hFE(4)  
300  
hFE(5)  
VCE(sat)1  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
V
V
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
CE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
200  
MHz  
pF  
fT  
Cob  
Cib  
VCB=-10V, IE= 0  
f=1MHz  
Output Capacitance  
8
VEB=-2V, IC= 0  
Input Capacitance  
30  
pF  
f=1MHz  
Delay time  
Rise time  
12  
nS  
nS  
td  
tr  
VCC=-30V,  
30  
IC=-150mA,IB1=-15mA  
Storage time  
300  
nS  
nS  
tS  
tf  
IC=-150mA  
Fall time  
65  
IB1= IB2= -15mA  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT2907S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
MMBT2907W SEMTECH

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