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MMBT2907S62Z

更新时间： 2024-01-18 04:30:33

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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MMBT2907S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	100 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2907S62Z 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

PN2907

MMBT2907

TO-92

SOT-23

Mark: 2B

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers

and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced

from Process 63. See PN2907A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

800

Collector Current - Continuous

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

PN2907

*MMBT2907

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

350

2.8

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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