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MMBT2907-HIGH

更新时间: 2024-01-06 18:24:36
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德州仪器 - TI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA

MMBT2907-HIGH 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.03
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-236AAJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:0.35 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):100 ns
最大开启时间(吨):45 nsVCEsat-Max:1.6 V
Base Number Matches:1

MMBT2907-HIGH 数据手册

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