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MMBT2907LT1

更新时间： 2024-09-23 10:52:31
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 191K
描述
General Purpose Transistor(PNP Silicon)

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MMBT2907LT1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.22
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

MMBT2907LT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistor  
PNP Silicon  
3
COLLECTOR  
MMBT2907LT1  
MMBT2907ALT1  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Value  
2907 2907A  
1
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
Unit  
Vdc  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
–40 –60  
–60  
–5.0  
–600  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Vdc  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
PD  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
417  
TJ , Tstg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBT2907LT1 = M2B, MMBT2907ALT1 = 2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)  
(I C = –10 mAdc, I B = 0)  
V (BR)CEO  
Vdc  
MMBT2907  
–40  
–60  
–60  
–5.0  
—
—
—
MMBT2907A  
Collector–Emitter Breakdown Voltage(I C = –10 µAdc, I E = 0)  
Emitter–Base Breakdown Voltage(I E = –10 µAdc, I C = 0)  
Collector Cutoff Current( V CB = –30Vdc, I BE(OFF) = –0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I CEX  
—
Vdc  
Vdc  
—
–50  
nAdc  
µAdc  
I CBO  
( V CB = –50Vdc, I E = 0)  
MMBT2907  
—
—
–0.020  
–0.010  
MMBT2907A  
( V CB = –50Vdc, I E = 0, T A =125°C )  
MMBT2907  
—
—
—
–20  
–10  
–50  
MMBT2907A  
Base Current( V CE = –30Vdc, V EB(off)= –0.5Vdc )  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
I B  
nAdc  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width  
<
300 µs, Duty Cycle  
<
2.0%.  
O8–1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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