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MMBT2907A-TP-HF

更新时间： 2024-01-15 23:52:17
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 250K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT2907A-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：50 ns
Base Number Matches：1

MMBT2907A-TP-HF 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT2907A  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Capable of 350mWatts of Pd, 600mA continuous collector current.  
•
PNP General  
Purpose Amplifier  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
·
·
x
•
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
C
Pin Configuration  
Top View  
Marking : 2F  
Thermal Tesistance,Junction to Ambient:500oC/W  
E
B
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
Base Cutoff Current  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
B
C
5.0  
Vdc  
F
E
50  
50  
nAdc  
nAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, IE=0)  
ICEX  
H
G
J
ICBO  
K
0.1  
10.0  
µAdc  
DIMENSIONS  
(VCB=50Vdc, IE=0, TA=150°C)  
ON CHARACTERISTICS  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
hFE  
DC Current Gain*  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
75  
100  
100  
100  
50  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
300  
F
G
H
J
VCE(sat)  
0.4  
1.6  
Vdc  
Vdc  
.085  
.37  
K
VBE(sat)  
Suggested Solder  
Pad Layout  
1.3  
2.6  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=50mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
200  
MHz  
pF  
.035  
.900  
Ccbo  
Cibo  
8.0  
.079  
2.000  
inches  
mm  
(VEB=2.0Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
30.0  
pF  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc,  
10  
40  
80  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
.037  
.950  
tr  
IB1=15mAdc)  
.037  
.950  
ts  
tf  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: B  
2013/01/01  
1234

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