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MMBT2907AT-G

更新时间： 2024-01-03 17:42:23
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WEITRON /
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5页 112K
描述
Transistor

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MMBT2907AT-G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

MMBT2907AT-G 数据手册

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MMBT2907AT  
COLLECTOR  
3
PNP General Purpose Transistors  
* “G” Lead(Pb)-Free  
3
1
1
2
BASE  
SOT-523(SC-75)  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Value  
-60  
-60  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
-5.0  
-600  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Vdc  
mAdc  
EBO  
I
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
Max  
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)  
TA=25 C  
mW  
P
D
150  
833  
R
θ
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage,Temperature  
C/W  
C
-55 to +150  
T
J,Tstg  
DEVICE MARKING  
MMBT2907AT=2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Unit  
Max  
Min  
OFF CHARACTERISTICS  
-
(2)  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -10 mAdc, I =0)  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
-60  
-60  
(BR)CEO  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage (I = -10 µAdc, I =0)  
-
-
C
E
(BR)CBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -10 µAdc, I =0)  
E
C
V
(BR)EBO  
-5.0  
-
(V = -50 Vdc, I =0)  
CB  
E
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
-10  
-10  
nAdc  
nAdc  
(V = -4 Vdc, I =0)  
I
Emitter Cutoff Current EB  
-
C
EBO  
1.FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in  
<_  
2. Pulse Test:Pulse Width=300 us, Duty Cycle 2.0%  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
12345

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