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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FMMT560TA | DIODES |
功能相似  |
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| MMBT2907AM | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,0.6A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
|
| MMBT2907AM3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
| MMBT2907AQ | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 0.6A, SOT23 |
|
| MMBT2907AQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBT2907AQ-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, |
|
| MMBT2907ARF | TSC |
获取价格 |
350mW, PNP Small Signal Transistor |
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| MMBT2907ARFG | TSC |
获取价格 |
350mW, PNP Small Signal Transistor |
|
| MMBT2907AT | MCC |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| MMBT2907AT | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
|
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