是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 13 weeks | 风险等级: | 5.01 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC): | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | 最大关闭时间(toff): | 100 ns |
最大开启时间(吨): | 45 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SMBT2907AE6327 | INFINEON |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, | |
MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors | |
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT2907ARF | TSC |
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350mW, PNP Small Signal Transistor | |
MMBT2907ARFG | TSC |
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350mW, PNP Small Signal Transistor | |
MMBT2907AT | MCC |
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PNP General Purpose Amplifier | |
MMBT2907AT | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) | |
MMBT2907AT | DIODES |
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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR | |
MMBT2907AT | WEITRON |
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PNP General Purpose Transistors | |
MMBT2907AT | TYSEMI |
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Ultra-Small Surface Mount Package | |
MMBT2907AT | CJ |
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SOT-523 | |
MMBT2907AT | BL Galaxy Electrical |
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60V,0.6A,General Purpose PNP Bipolar Transistor | |
MMBT2907AT | FOSHAN |
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SOT-89 |