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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.9 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 110 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 50 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMBT2907A | INFINEON |
完全替代  |
PNP Silicon Switching Transistors |
|
| MMBT2907AL | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors PNP Silicon |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBT2907AE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SMBT2907AE6433XT | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| SMBT2907E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| SMBT2907E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| SMBT35200MT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Current Surface Mount PNP Silicon |
|
| SMBT3904 | SURGE |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, TO-236, |
|
| SMBT3904 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Switching Transistor |
|
| SMBT3904 / MMBT3904 | INFINEON |
获取价格 |
NPN 硅开关晶体管 |
|
| SMBT3904DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| SMBT3904E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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