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MMBT2907AT

更新时间： 2024-02-01 16:30:32

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美台 - DIODES		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT2907AT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT2907AT 数据手册

MMBT2907AT

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

Epitaxial Planar Die Construction

Complementary NPN Type Available

(MMBT2222AT)

SOT-523

Dim Min Max Typ

0.15 0.30 0.22

0.75 0.85 0.80

1.45 1.75 1.60

Ultra-Small Surface Mount Package

Mechanical Data

TOP VIEW

Case: SOT-523, Molded Plastic

Case material - UL Flammability Rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking (See Page 2): 2F

Ordering & Date Code Information, See Page 2

Weight: 0.002 grams (approx.)

0.50

0.90 1.10 1.00

1.50 1.70 1.60

0.00 0.10 0.05

0.60 0.80 0.75

0.10 0.30 0.22

0.10 0.20 0.12

0.45 0.65 0.50

0°

8°

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Symbol

Maximum Ratings

Characteristic

MMBT2907AT

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5.0

Collector Current - Continuous

Power Dissipation (Note 1)

-600

°C/W

°C

P_d

150

R_qJA

T_j, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage and Temperature Range

833

-55 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

DS30269 Rev. 2 - 2

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MMBT2907AT

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