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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SMMBT2907ALT1G
SMMBT2907ALT1G PDF预览

SMMBT2907ALT1G

更新时间： 2024-01-03 01:10:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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SMMBT2907ALT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：0.46Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：227116
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
Samacsys Released Date：2015-09-11 07:50:46Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

SMMBT2907ALT1G 数据手册

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MMBT2907AL,  
SMMBT2907AL  
General Purpose Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
COLLECTOR  
3
Compliant  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−60  
Vdc  
Collector−Base Voltage  
−60  
−5.0  
Vdc  
Vdc  
3
SOT−23 (TO−236AB)  
Emitter−Base Voltage  
CASE 318  
STYLE 6  
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 3)  
I
−600  
−1200  
mAdc  
mAdc  
C
2
I
CM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation − FR−5 Board  
P
D
(Note 1) @T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
2F M G  
Derate above 25°C  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
ꢀ
JA  
1
Total Device Dissipation − Alumina  
P
D
2F = Device Code  
Substrate, (Note 2) @T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
A
M
= Date Code*  
Derate above 25°C  
mW/°C  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
ꢀ
JA  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Total Device Dissipation − Heat Spreader  
P
D
or equivalent, (Note 4) @T = 25°C  
350  
357  
mW  
°C/W  
°C  
A
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
ꢀ
JA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT2907ALT1G  
SMMBT2907ALT1G (Pb−Free)  
SOT−23  
3000 / Tape &  
Reel  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
MMBT2907ALT3G SOT−23  
SMMBT2907ALT3G (Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
3. Reference SOA curve.  
2
4. Heat Spreader or equivalent = 450 mm , 2 oz.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
August, 2013 − Rev. 13  
MMBT2907ALT1/D  
 
123456

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