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MMBT2907ALT1

更新时间： 2024-02-01 11:58:29

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AVICTEK		晶体晶体管光电二极管
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1页	41K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT2907ALT1 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	110 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns

MMBT2907ALT1 数据手册

@vic

MMBT2907ALT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

1. BASE

MMBT2907ALT1

TRANSISTOR (PNP)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

0.3 W (Tamb=25℃)

2. 4

1. 3

Collector current

I_CM:

-0.6

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-60

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -10µA , I_E=0

MIN

-60

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10 mA , I_B=0

I_E= -10µA, I_C=0

V_CB= -50V, I_E=0

-0.1

300

µA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CB= -3V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -3V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-10V, I_C= -150mA

V_CE=-10V, I_C= -1mA

I_C=-500mA, I_B=-50 mA

I_C= -500mA, I_B=-50 mA

100

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-1

-2

V_CE=-20V, I_C= -50mA

Transition frequency

200

MHz

f_T

f = 100MHz

DEVICE MARKING:

MMBT2907ALT1 =2F

Website http://www.avictek.com

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