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MMBT2907ALT1

更新时间： 2024-11-18 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
General Purpose Transistors

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MMBT2907ALT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.56
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
VCEsat-Max：1.6 VBase Number Matches：1

MMBT2907ALT1 数据手册

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by MMBT2907LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
PNP Silicon  
*Motorola Preferred Device  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
2907  
2907A  
–60  
Unit  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–40  
Vdc  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
–60  
–5.0  
–600  
Emitter–Base Voltage  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT2907LT1 = M2B; MMBT2907ALT1 = 2F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
–40  
–60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –10 Adc, I = 0)  
V
–60  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
E
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –10 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
= –30 Vdc, V  
= –0.5 Vdc)  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CE  
BE(off)  
CEX  
CBO  
Collector Cutoff Current  
I
(V  
(V  
= –50 Vdc, I = 0)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
—
—
–0.020  
–0.010  
CB  
E
= –50 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
MMBT2907  
MMBT2907A  
—
—
–20  
–10  
CB  
E
A
Base Current (V  
1. FR–5 = 1.0  
= –30 Vdc, V  
EB(off)  
= –0.5 Vdc)  
I
B
—
–50  
nAdc  
CE  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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