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MMBT2907AK_Q

更新时间： 2024-01-13 01:21:09

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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4页	122K
描述
Transistor

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MMBT2907AK_Q 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT2907AK_Q 数据手册

MMBT2907AK

PNP Epitaxial Silicon Transistor

General Purpose Transistor

Marking

2FK

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

-60

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_C

-60

-5

-600

°C

P_C

Collector Power Dissipation

350

T_J,T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 ~ 150

Electrical Characteristics T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage *

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Test Condition

Min.

Max.

Units

I_C= -10µA, I_E= 0

-60

-5

I_C= -10mA, I_B= 0

I_E= -10µA, I_C= 0

V_CB= -50V, I_E= 0

-0.01

300

µA

h_FE

DC Current Gain

V_CE= -10V, I_C= -0.1mA

V_CE= -10V, I_C= -1.0mA

V_CE= -10V, I_C= -10mA

V_CE= -10V, I_C= -150mA *

V_CE= -10V, I_C= -500mA *

100

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage *

Base-Emitter Saturation Voltage *

I_C= -150mA, I_B= -15mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

-0.4

-1.6

I_C= -150mA, I_B= -15mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

-1.3

-2.6

f_T

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

I_C= -50mA, V_CE= -20V, f = 100MHz

V_CB= -10V, I_E= 0, f = 1.0MHz

200

MHz

C_ob

t_ON

Turn On Time

V_CC= -30V, I_C= -150mA

I_B1= -15mA

t_OFF

Turn Off Time

V_CC= -6V, I_C= -150mA

I_B1= I_B2= -15mA

110

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

MMBT2907AK Rev. B

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT2907AL	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
MMBT2907AL	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
MMBT2907AL-AE3-6-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907AL-AE3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907AL-AL3-6-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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MMBT2907ALT1	WILLAS	获取价格	General Purpose Transistor PNP Silicon
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