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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2907AL-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| MMBT2907AL-AE3-R | UTC |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| MMBT2907AL-AL3-6-R | UTC |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| MMBT2907AL-AL3-R | UTC |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| MMBT2907ALT1 | WILLAS |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| MMBT2907ALT1 | TGS |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| MMBT2907ALT1 | LRC |
获取价格 |
General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
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| MMBT2907ALT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| MMBT2907ALT1 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| MMBT2907ALT1 | AVICTEK |
获取价格 |
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |
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