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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2907AK
MMBT2907AK PDF预览

MMBT2907AK

更新时间： 2024-09-26 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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MMBT2907AK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-23, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.19最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：50 ns
Base Number Matches：1

MMBT2907AK 数据手册

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February 2005  
MMBT2907AK  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
General Purpose Transistor  
Marking  
3
2FK  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
V
-5  
V
-600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-60  
-60  
-5  
Max.  
Units  
IC = -10µA, IE = 0  
V
V
IC = -10mA, IB = 0  
IE = -10µA, IC = 0  
V
VCB = -50V, IE = 0  
VCE = -10V, IC = -0.1mA  
CE = -10V, IC = -1.0mA  
CE = -10V, IC = -10mA  
VCE = -10V, IC = -150mA *  
CE = -10V, IC = -500mA *  
-0.01  
300  
µA  
hFE  
DC Current Gain  
75  
100  
100  
100  
50  
V
V
V
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage *  
IC = -150mA, IB = -15mA  
C = -500mA, IB = -50mA  
-0.4  
-1.6  
V
V
I
IC = -150mA, IB = -15mA  
C = -500mA, IB = -50mA  
-1.3  
-2.6  
V
V
I
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
IC = -50mA, VCE = -20V, f = 100MHz  
VCB = -10V, IE = 0, f = 1.0MHz  
VCC = -30V, IC = -150mA  
200  
MHz  
pF  
Cob  
tON  
8
Turn On Time  
50  
ns  
I
B1 = -15mA  
tOFF  
Turn Off Time  
VCC = -6V, IC = -150mA  
110  
ns  
I
B1 = IB2 = -15mA  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT2907AK Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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MMBT2907AK 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KST2907AMTF FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor
MMBT2907A-7-F DIODES

功能相似

 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT2907AL-AE3-6-R UTC

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