MMBT2907A

更新时间： 2024-11-05 00:01:11

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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2页	60K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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MMBT2907A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.57	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	45 ns	最大开启时间（吨）：	100 ns
Base Number Matches：	1

MMBT2907A 数据手册

MMBT2907, MMBT2907A

Switching Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-04

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

1.1

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT2907

40 V

MMBT2907A

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

60 V

Collector-Base-voltage

60 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

250 mW ¹)

600 mA

800 mA

150°C

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

- 65…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

MMBT2709

MMBT2709A - I_CB0

- I_CB0

–

20 nA

10 nA

I_E= 0, - V_CB= 50 V

I_E= 0, - V_CB= 50 V, T_j= 150°C - I_CB0

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ¹)

–

20 µA

- I_C= 150 mA, - I_B= 15 mA

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_CEsat

–

400 mV

1.6 V

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ¹)

- I_C= 150 mA, - I_B= 15 mA

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_BEsat

–

1.3 V

2.6 V

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

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MMBT2907A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT2907A-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2907ALT3G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors
MMBT2907ALT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

与MMBT2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT2907A/D87Z	TI	获取价格	800mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2907A/E9	VISHAY	获取价格	Transistor
MMBT2907A/L99Z	TI	获取价格	800mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2907A_08	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2907A_09	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907A_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2907A_10	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT2907A_11	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT2907A_16	DIODES	获取价格	60V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP General Purpose Transistor

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