MMBT2907 / MMBT2907A
MMBT2907 / MMBT2907A
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
PNP
PNP
Version 2006-05-15
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
2.9±0.1
1.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
0.4
3
Type
Code
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1 = B 2 = E 3 = C
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT2907
40 V
MMBT2907A
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
60 V
60 V
5 V
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
- IC = 0.1 mA, - VCE = 10 V
- IC = 1 mA, - VCE = 10 V
- IC = 10 mA, - VCE = 10 V
- IC = 500 mA, - VCE = 10 V
- IC = 150 mA, - VCE = 10 V
MMBT2907
MMBT2907A
hFE
hFE
35
75
–
–
–
–
MMBT2907
MMBT2907A
hFE
hFE
50
100
–
–
–
–
MMBT2907
MMBT2907A
hFE
hFE
75
100
–
–
–
–
MMBT2907
MMBT2907A
hFE
hFE
30
50
–
–
–
–
hFE
100
–
300
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 150 mA, - IB = 15 mA
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA
MMBT2907
MMBT2907A
- VCEsat
- VCEsat
–
–
–
–
0.4 V
1.6 V
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1