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Datasheet > MMBT2907A
MMBT2907A PDF预览

MMBT2907A

更新时间： 2024-01-26 03:43:09
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 430K
描述
TRANSISTPR(PNP)

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MMBT2907A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

MMBT2907A 数据手册

 浏览型号MMBT2907A的Datasheet PDF文件第2页 
MMBT2907A  
TRANSISTPR(PNP)  
SOT-23  
FEATURES  
z
z
Epitaxial planar die construction  
1. BASE  
Complementary NPN Type available(MMBT2222A)  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Marking: 2F  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
-60  
-5  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current -Continuous  
Total Device Dissipation  
-600  
250  
500  
mA  
mW  
℃/W  
PD  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
℃
℃
Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO*  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
MIN  
-60  
-60  
-5  
TYP  
MAX UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC=-10μA,IE=0  
V
V
V
IC=-10mA,IB=0  
IE=-10μA,IC=0  
VCB=-50V,IE=0  
-20  
-10  
-50  
300  
nA  
nA  
nA  
Base cut-off current  
IEBO  
VCE=-3V, IC =0  
Collector cut-off current  
ICEX  
VCE=-30 V, VBE(off) =-0.5V  
VCE=-10V,IC=-150mA  
VCE=-10V,IC=-0.1mA  
VCE=-10V,IC=-1mA  
VCE=-10V,IC=-10mA  
VCE=-10V,IC=-500mA  
IC=-150mA,IB=-15mA  
IC=-500mA,IB=-50mA  
IC=-150mA,IB=-15mA  
IC=-500mA,IB=-50mA  
VCE=-20V,IC=-50mA,f=100MHz  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE(sat)*  
VCE(sat)*  
VBE(sat)*  
VBE(sat)*  
fT  
100  
75  
DC current gain  
100  
100  
50  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
V
Transition frequency  
Delay time  
200  
MHz  
nS  
nS  
nS  
nS  
td  
10  
25  
VCE=-30V,IC=-150mA,B1=-15mA  
Rise time  
tr  
Storage time  
Fall time  
tS  
225  
60  
VCE=-6V,IC=-150mA,  
IB1=- IB2=- 15mA  
tf  
*Pulse test: tp≤300μS, δ≤0.02.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
12

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