MMBT2907A

更新时间： 2024-11-05 04:39:27

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TAITRON		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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3页	157K
描述
SMD General Purpose Transistor (PNP)

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MMBT2907A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	100 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2907A 数据手册

SMD General Purpose

Transistor (PNP)

MMBT2907A

SMD General Purpose Transistor (PNP)

Features

• PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for

Switching and Amplifier Applications

• RoHS compliance

SOT-23

Mechanical Data

Case:

Terminals:

Weight:

SOT-23, Plastic Package

Solderable per MIL-STD-202G, Method 208

0.008 gram

Maximum Ratings (T _Ambient=25ºC unless noted otherwise)

Symbol

Description

MMBT2907A

Unit

Conditions

Marking Code

Collector-Emitter Voltage (Open Base)

Collector-Base Voltage (Open Emitter)

Emitter-Base Voltage (Open Collector)

Collector Current (D.C)

-VCEO

-VCBO

-VEBO

-IC

5.0

600

MHz

K/W

° C

Power Dissipation above 25°C

Transition Frequency at f= 100MHz

From junction to ambient in free air

Junction Temperature

250

Ptot

200

-IC=50mA, -VCE=20V

500

R θ j-a

150

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com

Rev. A/AH 2007-10-11

Page 1 of 3

Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766

Fax: (800)-TAITFA (800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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