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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT2484LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor |
|
| MMBT2484S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| MMBT28S | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| MMBT28S | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT2906 | TI |
获取价格 |
MMBT2906 |
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| MMBT2907 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
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| MMBT2907 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| MMBT2907 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBT2907 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
|
| MMBT2907 | WEITRON |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistors |
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