Datasheet > MMBT2907

MMBT2907

更新时间： 2024-09-14 14:54:35

品牌	Logo	应用领域
鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	1530K
描述
双极型晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT2907 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	40
Collector Current - Continuous：	0.6	DC current gain - Min：	100
DC current gain - Max：	300	Transition frequency：	200
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

MMBT2907 数据手册

MMBT2907

PNP General Purpose Amplifier

SOT-23

Min

Dim

Max

3.10

1.50

2.70

FEATURES

1.10

1.0 Typical

0.4 Typical

Epitaxial planar die construction.

0.35

0.48

2.00

0.1

Ideal for medium power amplification

and switching.

1.80

0.02

0.1 Typical

2.20

2.60

All Dimensions in mm

APPLICATIONS

This device is designed as a general purpose amplifier

and switching.

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

M2B

Package Code

SOT-23

MMBT2907

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-5

Collector Current -Continuous

Total Device Dissipation

Thermal resistance,Junction to ambient

Junction and Storage Temperature

-600

350

℃/W

℃

P_D

R_θJA

T_j,T_stg

357

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

12 3

中文翻译

下载PDF

与MMBT2907相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT2907_07	DIOTEC	获取价格	Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
MMBT2907A	SEMTECH	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBT2907A	TYSEMI	获取价格	Epitaxial Planar Die Construction
MMBT2907A	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
MMBT2907A	HTSEMI	获取价格	TRANSISTPR(PNP)
MMBT2907A	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT2907A	TSC	获取价格	350mW, PNP Small Signal Transistor
MMBT2907A	KODENSHI	获取价格	PNP Silicon Transistor
MMBT2907A	SECOS	获取价格	General Purpose Transistor
MMBT2907A	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage