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MMBT2907

更新时间： 2024-09-14 14:55:27

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先科 - SWST		晶体管
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5页	386K
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小信号晶体管

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MMBT2907 数据手册

MMBT2907 / MMBT2907A

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into one group according

to its DC current gain.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

MMBT2907

MMBT2907A

-V_CEO

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_EBO

-I_C

600

Power Dissipation

P_tot

T_j

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Value

357

Unit

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 18/06/2021 Rev:02

12 3 4 5

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