5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.63 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 980273 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SOT-23 (TO-236)CASE 318-08 ISSUE AR | Samacsys Released Date： | 2019-09-11 09:22:49 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDN359BN | ONSEMI |
类似代替  |
N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，2.7A，46mΩ |
|
| BSS123LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
|
| 2N7002,215 | NXP |
功能相似 |
2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170/D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170/L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170/S62Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170_08 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170_1 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MMBF170-13-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMBF170-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMBF170-7-F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
