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MMBF2201NT1

更新时间： 2024-11-24 22:46:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 145K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

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MMBF2201NT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.15 W最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

MMBF2201NT1 数据手册

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by MMBF2201NT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
r
= 1.0 OHM  
DS(on)  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–con-  
serving traits.  
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High  
Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures minimal  
DS(on)  
power loss and conserves energy, making this device ideal for use  
in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and battery–  
powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,  
cellular and cordless telephones.  
3 DRAIN  
CASE 419–02, Style 7  
SC–70/SOT–323  
•
•
Low r Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
Miniature SC–70/SOT–323 Surface Mount Package Saves  
Board Space  
1
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
V
Value  
20  
Unit  
Vdc  
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 20  
Vdc  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
I
300  
240  
750  
mAdc  
A
D
D
Drain Current — Continuous @ T = 70°C  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
150  
1.2  
mW  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds  
DEVICE MARKING  
T , T  
– 55 to 150  
833  
°C  
°C/W  
°C  
J
stg  
R
θJA  
T
L
260  
N1  
(1) Mounted on G10/FR4 glass epoxy board using minimum recommended footprint.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000  
MMBF2201NT1  
MMBF2201NT3  
7″  
8 mm embossed tape  
8 mm embossed tape  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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MMBF2201NT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF2201NT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323
MMBF2201NT1 ONSEMI

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
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 		Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P−Channel SC−70/SOT−323
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